BFL4001
1m
10
DC 1 0
ms
op
ati
0 μ
10
9
8
7
6
5
4
3
2
VDS=200V
ID=6.5A
VGS -- Qg
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
ASO
IDP=13A (PW≤10μs)
IDc(*1)=6.5A
IDpack(*2)=4.1A
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
er
0 ms
on
s
10
10
s
μ s
Tc=25 ° C
0.1
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3
2
0.01
Single pulse
2 3 5 7 1.0
* 1. Shows chip capability
* 2. Our ideal heat dissipation condition
2 3 5 7 10 2 3 5 7 100 2 3 5 7 1000
2.5
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Ta
IT15302
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
PD -- Tc
IT16791
37
35
2.0
30
1.5
1.0
25
20
15
10
0.5
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
120
Ambient Temperature, Ta -- ° C
EAS -- Ta
IT15304
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15305
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT10478
No. A1638-4/7
相关PDF资料
BFL4004 MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F
BFL4007 MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI
BFL4026 MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
BFL4036 MOSFET N-CH 500V 9.6A TO-220FI
BFL4037 MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FI
BGF717-UV1 LAMP UB MINI HOT CATHODE
BH1600FVC-TR IC AMBIENT LIGHT SENSOR WSOF6
BH1621FVC-TR IC AMBIENT LIGHT SENSOR 5WSOF
相关代理商/技术参数
BFL4001_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
BFL4001-1E 功能描述:MOSFET NCH 10V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS(导通):4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
BFL4004 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO-220F RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BFL4004-1E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES
BFL4007 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8.7A TO-220FI RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BFL4007-1E 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 10V DRIVE SERIES - Ammo Pack 制造商:ON Semiconductor 功能描述:FNFLD / NCH 10V DRIVE SERIES
BFL4026 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BFL4026_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications